288-pin JEDEC-compliant DIMM, 133.35 mm wide by 31.25 mm high Operating Voltage: VDD/VDDQ = 1.2V (1.14V to 1.26V) VPP = 2.5V (2.375V to 2.75V) VDDSPD = 2.25V to 2.75V I/O Type: 1.2 V signaling On-board I2C temperature sensor with integrated Serial Presence-Detect (SPD) EEPROM Data Transfer Rate: 19.2 Gigabytes/sec Data Bursts: 8 and burst chop 4 mode ZQ Calibration for Output Driver and On-Die Termination (ODT) Programmable ODT / Dynamic ODT during Writes Programmable CAS Latency: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17 and 18 Bi-directional Differential Data Strobe signals Per DRAM Addressability is supported Write CRC is supported at all speed grades DBI (Data Bus Inversion) is supported (x8 only) CA parity (Command/Address Parity) mode is supported Supports ECC error correction and detection 16 internal banks SDRAM Addressing (Row/Col/BG/BA): 17/10/2/2 Fully RoHS Compliant
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